重庆某半导体设备鑫霖环保芯片制造技术厂，晶圆制作加工期间中所产生含硅、氟的唯一性电镀废水处里技术，设计构思处里经营规模1200吨/日。电镀废水处里技术化学物质复杂化，所含nm级硅颗粒状及氢氧化钠，中国传统处里技术不易未达标。 污水材质及主要来源 核心危害物 ：悬浊液硅（100-500nm粒级）、氟亚铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 的来源工艺流程 ：晶圆刻蚀焦化生产废水（45%）、CMP检查是否机械性打蜡 焦化生产废水（40%）、系统清洗水（15%） 清理施工工艺的流程 研发使用"药剂学结晶+重型膜分离出来"工艺路线图： 钙盐发展 ：污泥脱水氯化钙除去氟铁离子（转换成CaF2凝固） 斜板沉淀池反應 ：分手后复合斜管沉淀池剂体现橡胶胶体部分硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm管径膜虚报冒领微细颗料 反进行渗透操作系统 ：脱盐率>98%，收废率75% 化掉晶粒 ：浓水段实行氟化物污水处理技术口 结果效果好 氟化物浓硫酸浓度：<8mg/L（小于发展中国家1级要求10mg/L） 硅水分含量：<5mg/L 水市场使用率：70%在放置圆形冷却塔补水保湿 危废处理减轻：蒸发器残留物量较民俗流程减轻60%